Главная страница сайта Каталог №1 Каталог №3 Каталог №4 Распечатать
Главная страница каталога Предыдущая страница   Следующая страница

Микросхемы памяти

Однократно программируемые ПЗУ и ПЗУ с УФ стиранием (OTP EPROM, UV EPROM)

Наим-е Объем памяти, байт Организация памяти Напряжение питания, В Время доступа, нс Тип корпуса
M27C256B 256 K x8 5 45–150 FDIP28W, PDIP28, PLCC32, TSOP28
M27C512 512 K x8 5 45–150 FDIP28W, PDIP28, PLCC32, TSOP28
M27C516 512 K x16 5 45–100 PLCC44, TSOP40B
M27C1001 1 м x8 5 35–150 FDIP32W, PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M27C1024 1 м x16 5 35–150 FDIP40W, PDIP40, PLCC44, TSOP40B
M27C2001 2 м x8 5 35–150 FDIP32W, PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M27C202 2 м x16 5 45–100 FDIP40W, PDIP40, PLCC44, TSOP40B
M27C4001 4 м x8 5 35–150 FDIP32W, PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M27C4002 4 м x16 5 45–150 FDIP40W, PDIP40, PLCC44, TSOP40A
M27C400 4 м x8/16 5 50–100 FDIP40W, PDIP40, PLCC44, TSOP48
M27C800 8 м x8/16 5 50–120 FDIP42W, PDIP42, PLCC44,
M27C801 8 м x8 5 45–150 FDIP32W, PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M27C160 16 м x8/16 5 50–120 FDIP42W, PDIP42
M27C322 32 м x16 5 50–100 FDIP42W, PDIP42
M27C320 32 м x8/16 5 50–100 PLCC44, TSOP48
M27V160 16 м x8/16 3 100–150 FDIP42W, PDIP42, SOP44
M27V322 32 м x16 3 100–150 FDIP42W, PDIP42
M27W256 256 K x8 3 70–100 FDIP28W, PDIP28, PLCC32, TSOP28
M27W512 512 K x8 3 70–100 FDIP28W, PDIP28, PLCC32, TSOP28
M27W101 1 м x8 3 70–100 FDIP32W, PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M27W102 1 м x16 3 70–100 FDIP40W, PDIP40, PLCC44, TSOP40B
M27W201 2 м x8 3 70–100 FDIP32, PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M27W202 2 м x16 3 80–120 FDIP40, PDIP40, PLCC44, TSOP40B
M27W401 4 м x8 3 70–100 FDIP32W, PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M27W402 4 м x16 3 80–120 FDIP40W, PDIP40, PLCC44, TSOP40A
M27W400 4 м x8/16 3 80–120 FDIP40W, PDIP40, PLCC44
M27W801 8 м x8 3 80–120 FDIP32W,PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M27W800 8 м x8/16 3 90–100 FDIP42W,PDIP42,PLCC44
 

СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ для EPROM
M27 X XXX XX XX X
1 2 3 4 5 6
  1. Тип микросхемы
    М27 - EPROM
  2. Напряжение питания C - 5 В; W - 2.7 B - 3.6 B
  3. Объем и организация памяти256 - 256 Кб (х8)
    512 - 512 Кб (х8)
    516 - 512 Кб (х16)
    1001 - 1 Мб (х8)
    1024 - 1 Мб (х16)
    2001 - 2 Мб (х8)
    202 - 2 Мб (х16)
    4001 - 4 Мб (х8)
    4002 - 4 Мб (х16)
    400 - 4 Мб (х8/х16)
    801 - 8 Мб (х8)
    800 - 8 Мб (х8/х16)
    160 - 16 Мб (х8/х16)
    322 - 32 Мб (х16)
    320 - 32 Мб (х8/х16)
    642 - 64 Мб (х16)
    640 - 64 Мб (х8/х16)
  4. Время доступа, нс
  5. Тип корпуса:
  6. B – PDIP, F – FDIWP, C –PLCC
    1024 - 1 Мб (х16)
  7. Диапазон раб. температур
    не обознач. – 0...+70°C, I – -40...+85°C

EEPROM память

Наим-е Объем памяти, байт Организация памяти Напряжение питания, В Интерфейс частота последов. шины, МГц Тип корпуса
M24C01 1 K x8 1.8/3/5 I2C 0.1/0.4 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M24C02 2 K x8 1.8/3/5 I2C 0.1/0.4 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M24C04 4 K x8 1.8/3/5 I2C 0.1/0.4 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M24C08 8 K x8 1.8/3/5 I2C 0.1/0.4 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M24C16 16 K x8 1.8/3/5 I2C 0.1/0.4 PSDIP8, SOP8, TSSOP8, SBGA5
M24C32 32 K x8 1.8/3/5 I2C 0.1/0.4 PSDIP8, SOP8, SOP8W, TSSOP8
M24C64 64 K x8 1.8/3/5 I2C 0.1/0.4 PSDIP8, SOP8, SOP8W, TSSOP8
M24128 128 K x8 3/5 I2C 0.4 PSDIP8, SOP8,TSSOP14, TSSOP8
M24256 256 K x8 3/5 I2C 0.4 PSDIP8, SOP8W, SOP8, TSSOP14,SBGA7, TSSOP8, SBGA8
M24512 512 K x8 1.8/3/5 I2C 0.4 PSDIP8, LGA8, SOP8W
M93C06 256 x8/16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8
M93C46 1 K x8/16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M93S46 1 K x16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8
M93C56 2 K x8/16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8
M93S56 2 K x16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8
M93C66 4 K x8/16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M93S66 4 K x16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8
M93C76 8 K x8/16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8
M93C86 16 K x8/16 1.8/3/5 MICROWIRE 1 PSDIP8, SOP8
M95010 1 K x8 1.8/3/5 SPI 5 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M95020 2 K x8 1.8/3/5 SPI 5 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M95040 4 K x8 1.8/3/5 SPI 5 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M95080 8 K x8 1.8/3/5 SPI 5/10 PSDIP8, SOP8, TSSOP8
M95160 16 K x8 1.8/3/5 SPI 5/10 PSDIP8, SOP8, TSSOP14, TSSOP8
M95320 32 K x8 1.8/3/5 SPI 5/10 PSDIP8, SOP8, TSSOP14
M95640 64 K x8 1.8/3/5 SPI 5/10 PSDIP8, SOP8, TSSOP14
M95128 128 K x8 1.8/3/5 SPI 5/10 PSDIP8, SOP8, TSSOP14
M95256 256 K x8 1.8/3/5 SPI 5/10 PSDIP8, SOP8

ПЗУ специального применения

Наим-е объем памяти, байт Организация памяти Напряжение питания, В Интерфейс частота последов. шины, МГц Тип корпуса Особенности
M34C00 384 x8 3/5 I2C 400 SOP8, TSSOP8 Хранение серийн./идентифик. номера, кодируемый доступ к записи
ST24FC21 1 K x8 3/5 I2C 100/400 PSDIP8, SOP8 “Plug&Play” мониторы, вер. VESA2.0
ST24FW21 1 K x8 3/5 I2C 100/400 PSDIP8, SOP8 “Plug&Play” мониторы, вер. VESA2.0
ST24LC21B 1 K x8 3/5 I2C 100/400 PSDIP8, SOP8 “Plug&Play” мониторы, вер. VESA1.0
M34A02 2 K x8 3 SMBus 100 SOP8, TSSOP8 материнские платы для Pс, SMBus шина для ACR карт
M34C02 2 K x8 1.8/3/5 I2C 100/400 SOP8,TSSOP8, PSDIP8 идентифицир. “Plug&Play” DIMM модулей, детектир. наличия данных
M24164 16 K x8 3/5 I2C 400 PSDIP8, SOP8 идентифицирование “Plug&Play” DIMM модулей, управление записью
M34D64 64 K x8 1.8/3/5 I2C 400 PSDIP8, SOP8 хранение перем. данных, контроль записи на аппаратном уровне
Микросхемы с УФ стиранием выпуск-ся в керам. FDIP корпусах. Однократно программ. ПЗУ - в корп. PDIP, TSOP, и PLCC.

FLASH память с последовательным страничным доступом

Наим-е Объем памяти, байт Организация памяти Напряжение питания, В Интерфейс Частота последов. шины, МГц Тип корпуса
M25P05 512 K x8 3 SPI 25 SOP8, SOP8W
M25P10 1 м x8 3 SPI 25 SOP8, SOP8W
M25P20 2 м x8 3 SPI 25 SOP8, SOP8W

FLASH память с усовершенствованной архитектурой

Наим-е Объем памяти, Мб Напряжение питания, В Организация памяти Время доступа, нс Особенности Тип корпуса
M59DR008 8 1.8 x16 35–100 Два банка (4 + 4 Мбайт), страничный режим, верхняя/нижняя загрузка TSOP48, FBGA48
M59DR016 16 1.8 x16 35–100 Напряжение питания 1.8 в, верхняя/нижняя загрузка FBGA48
M59DR032 32 1.8 x16 35–100 Два банка (4 + 28 Мбайт), страничный режим, верхняя/нижняя загрузка TSOP48, FBGA48
M59MR032 32 1.8 x16 100 Пакетный режим, два банка (8 + 24 Мбайт), мультиплекс. адрес/данные, верхняя/нижняя загрузка uBGA46
M58LW064A 64 3 x8/16 110 Поблочное стирание, пакетный режим, страничный режим, равные блоки TSOP56, LBGA54
M58LW064B 64 3 x8/16 110 Поблочное стирание, пакетный режим, страничный режим, равные блоки PQFP80, TSOP86(II)
M50FW040 4 3 x8 – Встроенный программный Hub для PC BIOS, равные блоки PLCC32, TSOP40
M50FW080 8 3 x8 – Встроенный программный Hub для PC BIOS, равные блоки PLCC32, TSOP40
M58BF008 8 5 x32 90 Пакетный режим, 40 МГц, верхняя/нижняя загрузка PQFP80, LBGA80
M58BW016 8 3 x32 80–100 Синхронное чтение, верхняя/нижняя загрузка PQFP80, LBGA80

FLASH память промышленного исполнения

Наим-е Объем памяти, мБ Напряжение питания, В Организация памяти Время доступа, нс Особенности Тип корпуса
M29F010 1 5 x8 45–120 Равные блоки PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M29F102 1 5 x16 35–70 Верхняя/нижняя загрузка TSOP40B, PLCC44
M29F002 2 5 x8 45–120 Верхняя/нижняя загрузка PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M29F200 2 5 x8/16 45–90 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, SOP44
M29F040 4 5 x8 45–90 Равные блоки PDIP32, PLCC32, TSOP32A
M29F400 4 5 x8/16 45–90 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, SOP44
M29F080 8 5 x8 70–120 Равные блоки TSOP40A, SOP44
M29F800 8 5 x8/16 70–90 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, SOP44
M29F016 16 5 x8 55–90 Равные блоки TSOP40A, SOP44
M29F160 16 5 x8/16 55–70 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48
M29W010 1 3 x8 45–90 Равные блоки PLCC32, TSOP32A
M29W102 1 3 x16 50–90 Верхняя/нижняя загрузка TSOP40B
M29W022 2 3 x8 55–90 Верхняя/нижняя загрузка PLCC32
M29W200 2 3 x8/16 55–120 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, SOP44
M29W040 4 3 x8 55–120 Равные блоки PLCC32, TSOP32A, TSOP32B
M29W004 4 3 x8 55–120 Верхняя/нижняя загрузка TSOP40A
M29W400 4 3 x8/16 55–120 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, SOP44, TFBGA48
M29W008 8 3 x8 80–120 Верхняя/нижняя загрузка TSOP40A
M29W800 8 3 x8/16 80–120 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, SOP44, LFBGA48
M29W160 16 3 x8/16 70–120 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, LFBGA48
M29W320 32 3 x16 70–90 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, TFBGA48
M28W800 8 2х3 x8/16 90–100 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, TFBGA45
M28W160 16 2х3 x8/16 90–100 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, TFBGA46
M28W320 32 2х3 x16 90–100 Верхняя/нижняя загрузка TSOP48, TFBGA47
 

СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ для FLASH
M29 F 400 B B 12 M 1
1 2 3 4 5 6 7 8
  1. Тип микросхемы
    M28 – технология «Intel»
    M29 – технология «AMD»
    M5X – технология «ST»
  2. Напряжение питания
    F = 5В
    W = 3 В
  3. Объем и организация памяти
    010 – 1 Mб, (x8) равные блоки
    100 – 1 Mб, (x8/x16) верхняя/нижняя загрузка
    102 – 1 Mб, (x16) верхняя/нижняя загрузка
    002 – 2 Mб, (x8) верхняя/нижняя загрузка
    022 – 2 Mб, (x8) верхняя/нижняя загрузка
    200 – 2 Mб, (x8/x16) верхняя/нижняя загрузка
    040 – 4 Mб, (x8) равные блоки
    004 – 4 Mб, (x8) верхняя/нижняя загрузка
    400 – 4 Mб, (x8/x16) верхняя/нижняя загрузка
    008 – 8 Mб, (x8) верхняя/нижняя загрузка
    080 – 8 Mб, (x8) равные блоки
    800 – 8 Mб, (x8/x16) верхняя/нижняя загрузка
    016 – 16 Mб, (x16) равные блоки
    160 – 16 Mб, (x8/x16) верхняя/нижняя загрузка
    320 – 32 Mб, (x16) верхняя/нижняя загрузка
    032 – 32 Mб, (x16) равные блоки
    640 – 64 Mб, (x16) верхняя/нижняя загрузка
  4. Дополнительный индекс
  5. Расположение блоков памяти
    B – нижняя загрузка
    T – верхняя загрузка
    не обознач. – равные блоки
  6. Время доступа, нс
  7. Тип корпуса
    B – PDIP
    N, NZ – TSOP
    K – PLCC 32
    M – SO44
    ZA – FBGA
    ZB – BGA
    ZC – TFBGA
    Gx – uBGA
  8. Диапазон рабочих температур
    1 – 0 ...70°C
    3 – -40 ...125°C
    6 – -40 ...85°C
типы корпусов