Главная страница сайта Каталог №1 Каталог №3 Каталог №4 Распечатать
Главная страница каталога Предыдущая страница   Следующая страница

ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ (NV SRAM)

Dallas Semiconductor – одна из ведущих в мире фирм-производителей микросхем энергонезависимой статической памяти. В корпусе микросхемы размещается кристалл микромощной памяти, встроенный литиевый источник питания и управляющая схема, которая контролирует соответствие напряжение питания допустимым пределам. При падении питающего напряжения ниже некоторого предела подключается внутренняя батарейка. Дополнительно управляющая схема обеспечивает автоматическую защиту записей при пропадании питания, причём гарантируется сохранение данных в памяти в течение 10 лет при полном отсутствии внешних источников питания. Кристалл имеет внутренний изолирующий слой, позволяющий электрически отключать литиевый источник при хранении микросхемы на складе. При первом включении этот слой разрушается. это обеспечивает сохранение энергии литиевого источника до момента начала использования микросхемы.

Dallas Semiconductor выпускает энергонезависимую память как в виде модулей, совместимых по разводке выводов с DIP-корпусами аналогичных по объёму типов SRAM и EPROM памяти, так и в виде готовых SIMM модулей большого объёма с гибкой конфигурацией 128к х 32, 256к х 16 или 512к х 8. Кроме того, память может выпускаться в корпусе PCM (PowerCap Module), который представляет собой низкопрофильный модуль с 34 выводами, предназначенными для поверхностного монтажа. Этот модуль имеет дополнительную съёмную часть DS9034PC с литиевой батарейкой.

В качестве аксессуаров к микросхемам памяти используются литиевые батарейки DS3802, DS9034PD, DS9034PCI, выпускающиеся в корпусе PowerCap. Они устанавливаются путем защелкивания непосредственно на микросхемы памяти в корпусе BGA.

СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ
DS1230 AB P _ 120 IND
1 2 3   4 5
  1. Номер разработки
  2. Код напряжения питания:
    AD – 5.0 в, ±10% (4.5 - 5.5 в)
    AB – 5.0 в, ± 5% (4.75 - 5.25 в)
    W – 3.3 в, ±10% (3.0 - 3.6 в)
    Y – 5.0 в, ±10% (4.5 - 5.5 в)
  3. Тип корпуса:
    не обозн. – DIP
    P – PowerCap
  4. Время обращения, нс
  5. Диапазон рабочих температур:
    не обозн. – 0…+70°C
    IND – -40…+85°C
габаритные размеры

Наименование Объём памяти, бит Организация памяти Время обращения, нс Код напряжения питания, В Монитор батареи Диапазон рабочих температур Тип корпуса Дополнительные особенности
0…+70°C -40…+85°C
DS1220 16K 2k x 8 100, 120, 150, 200 AB, AD, Y   + + EDIP-24 10 летняя гарантия для “Y” версии начинается от даты производства, для “AB/AD” - от даты первого использования
DS1225 64K 8k x 8 70, 85, 150, 200 AB, AD, Y   + + EDIP-28  
DS1230 256K 32k x 8 70, 85, 100, 120, 150, 200 AB, W, Y   + + EDIP-28, PowerCap-34  
DS1330 256K 32k x 8 70, 100 AB, W, Y + + + PowerCap-34 Мониторинг питания, ф-ция сброса
DS1245 1M 128k x 8 70, 85, 100, 120 AB, W, Y   + + EDIP-32, PowerCap-34  
DS1345 1M 128k x 8 70, 100 AB, W, Y + + + PowerCap-34 Мониторинг питания, ф-ция сброса
DS3803 1M 128k x 8, 64k x 16, 32k x 32 70 4.5 - 5.5   +   SIPSTIK-72 NV SRAM SIMM с селективной организацией памяти
DS1249 2M 256k x 8 85, 100 AB, W, Y   + + EDIP-32  
DS1250 4M 512k x 8 70, 100 AB, W, Y   + + EDIP-32, PowerCap-34  
DS1350 4M 512k x 8 70, 100 AB, W, Y + + + PowerCap-34 Мониторинг питания, ф-ция сброса
DS1258 4M 128k x 16 70, 100 AB, W, Y   +   EDIP-40 Входы #CEU и #CEL
DS2227 4M 512k x 8, 256k x 16, 128k x 32 70, 100, 120 4.5 - 5.5   +   SIPSTIK-72 NV SRAM SIMM с селективной организацией памяти
DS1265 8M 1M x 8 70, 100 AB, W, Y   + + EDIP-36  
DS1270 16M 2M x 8 70, 100 AB, W, Y +   + EDIP-36  
DS3816C-512 16M 512k x 32 70 4.5 - 5.5 +   + BGA-168 Наличие часов реального времени (RTC)
DS3832C-311 32M 1024k x 32 100 3.0 - 3.6 +   + BGA-168 Наличие часов реального времени (RTC)
DS38464 64K x 40 64k x 40 70 3.0 - 3.6 + +   SIMM-72 NV SRAM SIMM